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技术领先的台积电在2021年将更上一层楼

2020-05-09来源: EEWORLD关键字:台积电  英特尔  三星

翻译自——eetimes

 

Wedbush Securities高级副总裁Matt Bryson表示,随着AMD等无晶圆厂企业从英特尔手中夺取市场份额,台积电(TSMC)有望从明年开始强劲反弹。

 

Bryson在4月27日提供给EE Times的一份报告中称,AMD、苹果、HiSilicon、Nvidia和高通等无晶圆厂企业是台积电的关键客户,它们将因市场份额增加和终端市场的高增长而增加订单。

 

他在接受采访时表示:“去年年底,AMD约有50%的业务转向了台积电。加上AMD将继续看到一些份额的增长,特别是在服务器和个人电脑cpu领域。

 

Bryson表示,中国对半导体独立的渴望,以及英特尔近期在推进其制造业方面的努力,将会推动代工厂较快的成长,尤其是先进的工艺节点产能。

 

虽然AMD约50%的销售使用的是台积电7nm芯片,但Bryson预计,到2021年,AMD几乎所有的产品都将在前沿节点生产。未来18个月这一转变将使台积电的销售额增加约10亿美元。

 

他表示,在2022/2023年期间,AMD在个人电脑和服务器市场的份额将升至40%。从英特尔向AMD的业务转移可能会使台积电的销售额再增加10亿美元。

 

据Bryson介绍,当微软和索尼开始开发Xbox和PlayStation时,AMD将在2020年下半年和2021年分别实现10亿美元和18亿美元的半导体销售。所有这些芯片都将使用台积电的7nm+芯片制造,可是,台积电在早期的游戏机中没有CPU/GPU内容。

 

幸运时时彩平台该报告称,中国芯片设计公司将帮助提振台积电的销售,因中芯国际等中国芯片制造商仍落后于台积电三代,在追赶上面临巨大障碍。中国芯片设计公司约占台积电需求的20%。Bryson表示,美国政府已经阻止中芯国际从ASML购买EUV光刻设备,可见ASML对先进工艺生产至关重要。

 

美国的目标是遏制中国在芯片行业的增长,它可能也会限制台积电向华为旗下芯片制造子公司海思半导体(HiSilicon)的销售。因为台积电利用其7nm制程生产出适用于5G智能手机的麒麟980处理器。华为是台积电的第二大客户,仅次于苹果。

 

近期内,美国对台积电向海思半导体销售产品的限制可能会对这家台湾芯片制造商造成不利影响。Bryson在报告中称,中国在继续寻求制造业自给自足的同时,将绕开美国可能的出口限制。

 

苹果

 

苹果可能将整合MacOS和iOS系统,并将生产从英特尔转向其个人电脑内部开发的基于arm处理器。基于一转变将增加苹果对代工厂的需求。

 

Bryson表示,对苹果而言,它的优势在于进一步将客户锁定在其生态系统中,并通过整合PC和手机/平板电脑硬件及软件开发来实现成本优势。

 

报道称,随着苹果向5G芯片的过渡,苹果同意从高通而不是英特尔购买调制解调器的协议将继续执行。Bryson表示,考虑到5G调制解调器的费用较高,这一举措将为晶圆代工厂带来高达20亿美元的销售额。台积电可能是这一转变的最大受益者。

 

英伟达

 

英伟达2019年可能向台积电和三星订购了价值高达6亿美元的数据中心相关芯片。2021年这个数字可能会翻一番。

 

英特尔

 

报告称,英特尔未能成功应对特定的数据中心市场,包括推理、培训和深度学习等人工智能特定任务,以及5G调制解调器、高速网络接口卡(NIC)和HPC传输,他们将大部分业务让给了无晶片厂的竞争对手。报告称,这些困境反而帮助英特尔的竞争对手AMD、英伟达和高通从增长趋势中获利,并从英特尔手中夺取市场份额。

 

幸运时时彩平台据悉,英特尔正在尝试尝试恢复通常的2年节奏,并已开始加速10nm工艺。目前其5nm进入量产倒计时,3nm进展顺利,再往后就是2nm。台积电认为他们的7纳米节点是目前最先进的逻辑技术。在N7基础上,台积电推出了N7P和N7+,N7P与N7+不能混淆。N7 +是他们的第一批在某些关键层采用EUV的工艺技术。据说N7 +在等功率情况下可提供10%的更高性能,或者在等功率情况下可降低15%的功率。

 

三星

 

相比于台积电和英特尔,三星的路线图是风险最低的。

 

根据wikichip最新的报道,三星仍坚持他们几年前概述的战略——生产四个主要节点,即14nm、10nm、7nm以及3nm。因其每个进化节点都是高度增量的,通常只引入单个更改。这使得他们可以通过剥离一些之前引入的扩展助推器,并在后续节点上添加它们来降低新节点的风险。但这样做的缺点是,三星的主要节点之间的间隔相当大,在PPA方面,它们落后于台积电。

 

 

从路线图可以看出,三星主要在7LPP上下功夫,其中6LPP是三星7LPP的改进版,具有更高的晶体管密度,更低的功率,但可以重新使用最初为7LPP设计的IP。然后就是5LPE,三星计划将5nm作为第二代EUV工艺。

 

但5LPE确实引入了一些新的增强功能。根据wikichip的估计,三星5 nm节点UHD单元的密度已达到接近130 MTr /mm²,这是第一个超过英特尔10纳米节点和台积电7纳米节点的三星节点。三星预计在今年下半年推出使用其5LPE技术的首批芯片,并预计在2020年上半年批量生产。

 

三星7LPP演进的顶峰将是公司的4LPE技术(可能4LPP不在最新的三星路线图中)。三星将在今年下半年完成其开发,所以预计第一批流片将在2020年推出,并在2021年批量生产,ANANDTEC报道中指出。

 

真正发生重大变革的是3nm节点,因为3nm开始三星将放弃FinFET转向GAA晶体管,第一代是3GAE工艺,还有优化版3GAP工艺,后续还在继续优化改良中。

 

越来越艰难的障碍赛

 

领先产品的竞争已经缩小到两家公司,而且障碍重重。

 

幸运时时彩平台台积电工艺节点频频告捷

 

台积电的工艺研发速度在业界看来是很快的,尤其是对EUV工艺的掌握。在晶圆代工领域,台积电毫无疑问是绝对的王者,而其工艺路线图的布局也是相当紧凑。目前其5nm进入量产倒计时,3nm进展顺利,再往后就是2nm。

 

 

整体来看,据wikichip报道指出,台积电的10纳米节点(N10)节点被认为是一个寿命较短的节点,主要用于yield-learning。台积电认为他们的7纳米节点是目前最先进的逻辑技术。除了少数关键客户外,台积电的大部分客户据说都是从N16直接转到N7。当从N16到N7时,N7提供3。3倍的路由门密度,以及大约35-40%的速度改进或降低65%的功率。

 

幸运时时彩平台在N7基础上,台积电推出了N7P和N7+,N7P与N7+不能混淆。N7P是一个优化的、基于DUV的流程,它使用相同的设计规则,并且与N7完全兼容。N7P引入了FEOL和MOL优化,据说在等功率时性能提高7%,在等速度时性能降低10%。N7 +是他们的第一批在某些关键层采用EUV的工艺技术。与他们的N7工艺相比,N7 +的密度提高了约1。2倍。据说N7 +在等功率情况下可提供10%的更高性能,或者在等功率情况下可降低15%的功率。这样看来,N7+似乎比N7P更好一些。

 

N6的EUV相当于N7。它计划比N7+使用更多的EUV层。它既是设计规则,也是与N7兼容的ip,是大多数客户的主要迁移路径。N7的设计可以重新粘贴到N6上,利用EUV掩模和保真度的改进,或者重新实现,利用poly over diffusion edge (PODE)和continuous diffusion (CNOD)标准单元基台规则,据说可以提供额外18%的密度改进。值得强调的是,N6的独特之处在于,它将在明年年初进入风险生产阶段,并在2020年年底达到峰值。这意味着它会在N5之后倾斜。因此,台积电表示,N6是建立在N7+和N5 EUV的基础上的。

 

台积电5纳米制程是N7之后的下一个“完整节点”。N5同时使用深紫外线(DUV)和极紫外线(EUV)光刻技术。N5可以在14层上使用EUVL来显著提高密度,N7+是在4个非关键层上使用EUVL,这可以说是一个切实的进步。

 

 

该报告称,台积电约三分之一的产量位于10纳米级以下节点,但是今年他们可能将有近50%的产量位于5纳米级以下节点。相比之下,除三星外,台积电的竞争对手仍在10nm+制程节点上。全球第三大代工厂GlobalFoundries在2018年决定不追求先进的节点升级,而是专注于落后的节点。

 

英特尔的大部分产品仍然是14nm制程。报告称,虽然英特尔的14nm制程大致适用于台积电的10nm制程技术,但台积电目前以7nm制程技术领先。

 

领先的边缘节点驱动代工量的增长,Bryson :“AMD、英伟达(Nvidia)、高通(Qualcomm)等公司正在对其主流产品的前沿节点进行标准化,以此证明前沿部件在推动技术进步方面的重要性。”

 


关键字:台积电  英特尔  三星 编辑:muyan 引用地址:http://news.sonata9.com/manufacture/ic496503.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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