幸运时时彩平台

Vishay新型接近传感器,小体积低功耗

2020-01-15来源: EEWORLD关键字:Vishay  接近传感器

日前,Vishay Intertechnology, Inc。(NYSE 股市代号:VSH)推出两款全集成新型接近传感器--- VCNL36821S和VCNL36826S,提高消费类和工业应用效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36821S和VCNL36826S分别在2。55 mm x 2。05 mm x 1。0 mm小型表面贴封装中集成红外(IR)发射器、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电二极管、信号处理IC和12位ADC。

 

image.png


与上一代器件相比,日前发布的接近传感器体积小,成本低,适用于空间有限的电池供电应用,如检测用户是否佩戴耳麦或虚拟现实/增强现实(VR / AR)头盔。器件探测距离300 mm,同时具有用于玩具以及消费类和工业机器人的碰撞检测功能。VCNL36821S和VCNL36826S功耗低至6 µA,有助于提高这些应用的效率。

 

器件支持I2C总线通信接口,可轻松访问接近信号,可编程中断功能便于设计人员设定中断阈值上下限,从而减少与微控制器连续通信。 接近传感器采用智能抵消技术消除串扰,智能持续性设计确保准确探测并加快响应速度。IRED和VCSEL波长峰值为940 nm,无可见“红尾”。

 

VCNL36821S和VCNL36826S在-40 °C至+85 °C温度范围内具有出色的温度补偿能力,潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020标准3级,车间储存寿命为168小时。传感器符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。


image.png

关键字:Vishay  接近传感器 编辑:muyan 引用地址:http://news.sonata9.com/MEMS/ic485709.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:Ouster全新激光雷达传感器问市,可使用128通道分辨率
下一篇:用于制氮设备的氧化锆氧气传感器

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

Vishay新型TMBS®整流器可显著提高功率密度
日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH) 宣布,推出16款采用eSMP®系列超薄SMP(DO-220AA)封装的新型2 A和3 A器件,扩充其表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor整流器反向电压覆盖从45 V到200 V范围,3 A电流等级达到业内SMP封装器件最高水平,显著提高功率密度。 日前发布的整流器2 A和3 A器件正向压降分别为0.36 V和0.37 V,可降低商用和工业用高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管和极性保护二极管功耗,提高效率。器件还提供适于
发表于 2020-01-23
Vishay新型TMBS®整流器可显著提高功率密度
Vishay全新IHDF边绕电感器可减少功耗,提高效率
这款通孔器件采用铁粉磁芯技术,直流电阻低,有助于减少功耗,提高效率 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型IHDF边绕通孔电感器---IHDF-1300AE-10,额定电流72 A,饱和电流高达230 A,适合用于工业和国防应用。Vishay Dale IHDF-1300AE-10采用铁粉磁芯技术,最大高度仅为15.4 mm,在-55 °C至+125 °C严苛的工作温度范围内,交流和直流功耗低,具有优异的散热性能。 日前发布的这款器件边绕线圈最大直流电阻(DCR)低至1.1 mW,最大限度减少损耗,有助于改善额定电流性能,提高效率。与铁氧体解决方案相比
发表于 2019-12-13
Vishay全新IHDF边绕电感器可减少功耗,提高效率
Vishay新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率
器件适用于24 V系统双向开关,最佳RS‑S(ON)典型值低至10 mW单位面积RS-S(ON)达业内最低水平日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。 日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件
发表于 2019-12-11
Vishay新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率
Vishay推出高度仅为1.0 mm小型商用电感器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款公司迄今体积最小的新型商用IHLP®超薄、大电流电感器--- IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP‑1212BZ-51。Vishay Dale IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP‑1212BZ-51采用3.3 mm x 3.3 mm 1212外形尺寸,工作温度达+155 °C,节省计算机和电信系统应用空间,高度仅为1.0 mm。 日前发布的器件用于DC/DC转换器储能时频率可达5 MHz。同时,电感器在自谐振频率(SRF)范围内大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。应用
发表于 2019-12-04
Vishay推出高度仅为1.0 mm小型商用电感器
幸运时时彩平台Vishay HVCC系列产品荣获2019 AspenCore全球电子成就奖
径向引线高压单层瓷片电容获年度高性能元器件奖 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,公司的HVCC系列径向引线高压单层瓷片电容器荣获2019 AspenCore全球电子成就奖年度高性能元器件奖。该器件无需并联两个1 nF电容即可达到2 nF电容值,紧凑的外形尺寸显著节省PCB空间。 由全球电子技术领域最大媒体集团AspenCore颁发的全球电子成就奖(WEAA),旨在表彰对推动全球电子行业创新发展做出杰出贡献的企业和个人。获奖产品由全球各地的工程师在线投票选出。今年,Vishay的HVCC系列产品在高性能元器件评比中获得最多选票。 HVCC系列电容器容量范围100 pF
发表于 2019-12-03
利用红外接近传感器使真无线耳机播放时间延长
,红外(IR)接近感应模块检测语音通话期间何时将电话握在用户的脸部,从而可以关闭显示器。下面的文章介绍了该技术如何适应小空间的TWS耳塞,如何可靠地检测出耳塞是在耳内还是耳外。红外接近检测的工作原理红外接近传感器的基本操作如图1所示。图1:IR接近传感器检测到附近物体反射的光它包含两个主要组件:一种不可见的红外发射源,它发出调制的光脉冲,理想情况下,发射的功率应集中在狭窄的波段内。在与发射器的峰值强度匹配的波长处具有峰值灵敏度的光电二极管(光传感器)。通过严格控制系统的工作波长,并通过调制脉冲,可以使传感器系统不受噪声影响,噪声主要包括来自外部的红外能量源(例如阳光)的干扰以及内部反射(串扰)从模块外壳到光学系统的其他部分。当发出的
发表于 2020-02-07
利用红外接近传感器使真无线耳机播放时间延长
小广播
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 幸运时时彩平台京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 sonata9.com, Inc. All rights reserved
500万彩票网 北京pk10 大发时时彩 幸运时时彩开奖结果 五分时时彩 500万彩票登入 亿信彩票注册 幸运时时彩 上海时时乐 大发时时彩